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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种CMOS器件后段互连层及其制造方法。CMOS器件后段互连层制造方法包括以下步骤：提供CMOS器件结构，在所述CMOS器件结构上淀积形成介质阻挡层；在所述介质阻挡层上淀积形成第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层的介电常数小于二氧化硅的介电常数；采用氦等离子体对所述第一绝缘介质层的上表面进行轰击，将所述第一绝缘介质层中的碳元素轰击至所述第一绝缘介质层的上表面沉积形成含碳硬化层；在带有所述含碳硬化层的第一绝缘介质层上淀积形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层的介电常数大于二氧化硅的介电常数。该CMOS器件后段互连层及其制造方法制造出CMOS器件后段互连层。
主权项：1.一种CMOS器件后段互连层制造方法，其特征在于，所述CMOS器件后段互连层制造方法包括以下步骤：提供CMOS器件结构，在所述CMOS器件结构上淀积形成介质阻挡层；在所述介质阻挡层上淀积形成第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层的介电常数小于二氧化硅的介电常数；采用氦等离子体对所述第一绝缘介质层的上表面进行轰击，将所述第一绝缘介质层中的碳元素轰击至所述第一绝缘介质层的上表面沉积形成含碳硬化层；在带有所述含碳硬化层的第一绝缘介质层上淀积形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层的介电常数大于二氧化硅的介电常数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 CMOS器件后段互连层及其制造方法
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