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一种多色钙钛矿量子点图案化薄膜制备方法及应用 

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申请/专利权人:闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所

摘要:本发明公开了一种多色钙钛矿量子点图案化薄膜制备方法及应用。该方法通过混合卤素钙钛矿前驱体在PVDF聚合物中原位制备纯红光的钙钛矿量子点PVDF复合薄膜,并通过热退火工艺提升其发光效率和稳定性。利用掩模版对薄膜进行选择性紫外线曝光,利用混合卤素钙钛矿量子点光诱导相分离现象,实现曝光区域由红光转变为绿光,从而获得多色的钙钛矿量子点PVDF复合薄膜。本发明的制备方法简单、高效,可广泛应用于光电器件、显示器件等领域。

主权项:1.一种多色钙钛矿量子点图案化薄膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:钙钛矿前驱体溶液制备将CsI、DMAPbBr3和DMAPbI3钙钛矿前驱体与PVDF粉末溶解于由N,N-二甲基甲酰胺(DMF)与二甲亚砜(DMSO)组成的混合溶剂中,并向混合溶剂中添加配体,得到钙钛矿前驱体溶液;步骤2:CsPbBrI3PVDF复合膜合成将步骤1制备的钙钛矿前驱体溶液,通过刮涂、旋涂或喷墨打印方法均匀涂覆于玻璃基板表面,形成透明且厚度均匀的薄膜;然后在10~80℃空气环境中,通过蒸发溶剂并原位生长CsPbBrI3量子点,处理3~480分钟,得到橙黄色CsPbBrI3PVDF复合膜;步骤3:热退火处理将步骤2所得复合膜连同玻璃基板放置于加热台上,按照预设加热温度和加热时间进行精确热退火处理,形成红色CsPbBrI3PVDF复合薄膜,之后从玻璃基板上剥离;优选地,CsPbBrI3PVDF复合薄膜的厚度为2~10微米;步骤4:多色图案化利用光掩模技术,对复合薄膜进行选择性曝光,通过对准和曝光控制,使得复合薄膜暴露于功率密度1~10000mWcm-3、波长为254~405nm的单色光或者连续可见光光源下,曝光时长在1至1000小时范围内可调,以满足不同图案分辨率和颜色深浅的需求;通过光诱导混合卤素相分离反应,引发薄膜内部的结构演变,从而在复合薄膜上精准构建具有多种颜色的钙钛矿量子点图案。

全文数据:

权利要求:

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