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申请/专利权人：江苏林洋太阳能有限公司
摘要：本发明涉及N+poly重掺杂结构层的磷扩散方法，其包括如下步骤：1升温；2前氧化；3磷源沉积；4高温推进；5炉管恢复常压，降温出管，其中磷源沉积包括三步磷源沉积，小氮气：氧气的比例为1～5：1，且沉积过程中POCL3的源温为25℃～80℃。本发明一方面三步磷源沉积有效降低高低温通源时间，稳定整体通源过程，有效提升扩散方阻均匀性，同时在高磷固溶度下进行恒定浓度的磷扩散，可有效提升磷掺杂表面浓度；另一方面基于加大沉积中携源量的比例，以满足N+poly层中固溶度提升对更多磷源量的需求，从而最终实现了磷在N+poly中的高浓度掺杂。
主权项：1.一种N+poly重掺杂结构层的磷扩散方法，其包括如下步骤：1升温：炉管升温到700～750℃，升温过程中通入保护性气体，且抽真空至负压；2前氧化：保持负压状态，通入氧气以在硅片的Poly层表面形成一层氧化层；3磷源沉积：保持负压状况，在硅片Poly层表面沉积磷源；4高温推进：保持负压状态，升温并推进，以使沉积在硅片表面的磷源推进到Poly层内部；5炉管恢复常压，降温出管，其特征在于：在步骤3中，磷源沉积包括三步磷源沉积，三步沉积均保持负压为500mbar～800mbar下的低温沉积、升温沉积和高温沉积，所述低温沉积对应温度为750～800℃，通入氧气、小氮气和POCL3，在硅片Poly层表面沉积磷源；所述升温沉积对应温度为875℃～930℃，以使得磷在N+poly中的固溶度也逐渐升高；所述高温沉积在恒温875℃～930℃下，通入氧气、小氮气和POCL3，在硅片表面继续沉积磷源，其中小氮气：氧气的比例为1～5：1，且沉积过程中POCL3的源温为25℃～80℃。
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权利要求：
百度查询： 江苏林洋太阳能有限公司 一种N+ poly重掺杂结构层的磷扩散方法
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