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申请/专利权人：新存科技(武汉)有限责任公司
摘要：本申请提供了一种存储器的制备方法和存储器，在待刻蚀层的一侧形成堆叠的第一掩膜层和第二掩膜层，每个掩膜层均包括材料不同的第一介质层和第二介质层，第二介质层位于第一介质层远离待刻蚀层的一侧，且第一介质层的硬度大于第二介质层的硬度。然后对第二掩膜层进行刻蚀形成第一掩膜块，再形成位于第一掩膜块两相对侧壁的第一间隔块。接着以第一间隔块为掩模对第一掩膜层进行刻蚀形成第二掩膜块，最后以第二掩膜块为掩模对待刻蚀层进行刻蚀形成目标图案。本申请可以提高第一掩膜块的硬度以及第二掩膜块的硬度，进而可以提高目标图案的线宽一致性。
主权项：1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层的一侧形成堆叠的第一掩膜层和第二掩膜层，每个掩膜层均包括材料不同的第一介质层和第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层远离所述待刻蚀层的一侧，且所述第一介质层的硬度大于所述第二介质层的硬度；对所述第二掩膜层进行刻蚀形成第一掩膜块；形成位于所述第一掩膜块两相对侧壁的第一间隔块；以所述第一间隔块为掩模对所述第一掩膜层进行刻蚀，形成第二掩膜块；以及以第二掩膜块为掩模对所述待刻蚀层进行刻蚀，形成目标图案。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新存科技(武汉)有限责任公司 一种存储器的制备方法和存储器
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