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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明公开一种P型氧化物薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：由下至上依次布设的衬底、底栅电极、栅极绝缘层、半导体沟道层、源漏电极和钝化层；其中，所述半导体沟道层为氟掺杂氧化物薄膜，所述氟掺杂氧化物薄膜为通过射频磁控溅射法生长氧化物薄膜后，对氧化物薄膜采用含氟等离子体进行氟化处理得到。利用六氟化硫与氩气或四氟化碳与氩气对氧化物薄膜进行等离子氟化处理，减少工艺步骤，获得具有高稳定性、高空穴迁移率和高开关电流比的高性能薄膜晶体管。
主权项：1.一种P型氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：由下至上依次布设的衬底、底栅电极、栅极绝缘层、半导体沟道层、源漏电极和钝化层；其中，所述半导体沟道层为氟掺杂氧化物薄膜，所述氟掺杂氧化物薄膜为通过射频磁控溅射法生长氧化物薄膜后，对氧化物薄膜采用含氟等离子体进行氟化处理得到。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种P型氧化物薄膜晶体管及其制备方法
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