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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明提供了一种图案化衬底的方法。该方法包括图案化形成在衬底上方的光刻胶层以生成光刻胶图案，以及利用离子束来处理该光刻胶图案。离子束由诸如CH4、SiH4、Ar或He的气体生成，并且该离子束以至少10°的倾斜角度被引导至光刻胶图案。在实施例中，离子束以一致的扭转角度或具有单峰或双峰分布的扭转角度被引导至光刻胶图案。离子束减小了光刻胶图案的线边缘粗糙度LER、线宽粗糙度LWR和或临界尺寸。该方法还包括利用被处理的光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻衬底。本发明还提供了用于集成电路图案化的方法。
主权项：1.一种图案化衬底的方法，所述方法包括：图案化形成在所述衬底上方的光刻胶层，以生成包括线图案的光刻胶图案；利用离子束来处理所述光刻胶图案，以生成被处理的光刻胶图案，其中，利用第一气体生成所述离子束，并且所述离子束以至少10°的不同的倾斜角度被引导至所述光刻胶图案，其中，所述离子束以扭转角度为90°的方式平行于所述线图案，其中，所述离子束的扭转角度是第一平面和第二平面之间的角度，所述第一平面包含离子束和垂直于所述光刻胶层的顶面的第一轴，并且第二平面包含所述第一轴和沿所述光刻胶图案的宽度方向的第二轴，其中，所述倾斜角度是所述离子束与所述第一轴之间的角度；以及利用所述被处理的光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述衬底，其中，生成所述离子束的所述第一气体是以下气体中的一种：CH4、SiH4、CO2和它们的组合，其中，与所述离子束处理之前的所述光刻胶图案相比，所述离子束中的Si或C使得在蚀刻所述衬底期间减小了所述被处理的光刻胶图案的蚀刻速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 用于集成电路图案化的方法
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