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申请/专利权人：苏州科技大学
摘要：本发明公开了一种基于蜀葵茎秆合成g‑C3N4C复合材料的方法，包括以下步骤：（1）蜀葵茎秆的预处理；（2）制备g‑C3N4C复合材料。该方法以蜀葵茎秆为碳骨架，g‑C3N4在模板表面铺展形成薄片层，构建具有特殊结构的复合体系，该复合材料相比纯相g‑C3N4大幅提升了比表面积，界面清晰，碳骨架不仅起到了刚性支撑的作用，而且提升了复合材料的电子转移效率，从而提高了光生载流子的分离效率，提高了可见光的利用率。本方法采用的原料低廉且对环境友好，可应用于工业生产，批量制备治理环境有机污染物的环保材料。
主权项：1.一种基于蜀葵茎秆合成的g-C3N4C复合材料在可见光降解罗丹明B中的应用，其特征在于，所述复合材料的合成方法包括以下步骤：（1）蜀葵茎秆的预处理将新鲜采摘的蜀葵茎秆切段并用去离子水多次洗涤，浸泡于预处理液中以脱除其中的叶绿素和生物活性物质，浸泡结束后将茎秆用去离子水洗涤后自然晾干，避免阳光直射，收集备用，其中，预处理液的成分为：体积比为1:1-1:2的水和乙醇的混合液，pH值为2-3，浸泡时间为三至四周，浸泡结束后将茎秆洗涤至洗涤液pH值呈中性后方可晾干；（2）制备g-C3N4C复合材料以双氰胺为前驱体配制浸渍溶液，将步骤（1）预处理过的蜀葵茎秆浸渍于其中进行处理，然后经脱水并热处理即生成g-C3N4C复合材料；其中蜀葵茎秆和双氰胺的质量比为1:1-1:4，其中，将预处理过的蜀葵茎秆先于浸渍溶液中于50℃下水浴搅拌1-2h，待前驱体完全溶解后停止搅拌，继续水浴保温20-24h，后在60-80℃下隔夜烘干；热处理条件为于马弗炉内进行热处理，反应条件为：空气气氛下以3-5℃min升温至500-550℃并保温4-6h。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州科技大学 一种基于蜀葵茎秆合成g-C3N4/C复合材料的方法
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