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申请/专利权人：湖南芯力特电子科技有限公司

摘要：本发明提供一种迟滞比较器、迟滞比较方法及电子设备，包括：具有第一、第二NMOS管，第一PMOS管、第一、第二、第三电流源的迟滞比较模块；第一NMOS管的源极接地，栅极接收输入电压，漏极经由第一电流源连接电源电压；第一PMOS管的漏极连接第一NMOS管的漏极，栅极接收迟滞控制信号，源极经由第二电流源连接电源电压；其中，迟滞控制信号与迟滞比较模块的输出信号同相；第二NMOS管的源极接地，栅极连接第一NMOS管的漏极，漏极经由第三电流源连接电源电压；第二NMOS管的漏极作为输出端。本发明基于晶体管的阈值电压作为基准进行比较，无需基准电路，电路结构简单；通过降压电路对输入电压降压后再进行迟滞比较，在兼顾稳定性和温漂的情况下实现低功耗设计。

主权项：1.一种迟滞比较器，其特征在于，所述迟滞比较器至少包括：迟滞比较模块及降压模块；所述迟滞比较模块包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第一电流源、第二电流源及第三电流源；其中，所述第一NMOS管的源极接地，栅极接收输入电压，漏极经由所述第一电流源连接电源电压；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极，栅极接收迟滞控制信号，源极经由所述第二电流源连接电源电压；其中，所述迟滞控制信号与所述迟滞比较模块的输出信号同相；所述第二NMOS管的源极接地，栅极连接所述第一NMOS管及所述第一PMOS管的漏极，漏极经由所述第三电流源连接电源电压；所述第二NMOS管的漏极作为所述迟滞比较模块的输出端；所述降压模块连接在输入电压和所述迟滞比较模块的输入端之间，用于对所述输出信号进行降压，并将降压后的输入电压提供给所述迟滞比较模块；此时，所述输入电压大于电源电压；所述降压模块包括电阻、二极管、第三NMOS管、第四NMOS管及第四电流源；其中，所述电阻的一端连接所述输入电压，另一端连接所述二极管的阳极；所述二极管的阴极连接所述第三NMOS管的漏极和栅极；所述第三NMOS管的源极连接所述第四NMOS管的漏极；所述第四NMOS管的栅极连接电源电压，源极经由所述第四电流源接地；所述第四NMOS管的源极作为所述降压模块的输出端；所述二极管为高压二极管，所述第三NMOS管及所述第四NMOS管为高压晶体管。

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