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申请/专利权人：成都威频科技有限公司
摘要：本发明涉及微波磁学器件领域，具体涉及是一种低频的窄带YIG带通滤波器，包括壳体和电路基板，电路基板表面设置有微带电路，其中所述微带电路包括输入微带线结构、传递微带线结构、输出微带线结构等结构；输入微带线结构与第一YIG薄膜边缘耦合；输出微带线结构与第二YIG薄膜边缘耦合；传递微带线结构设于第一YIG薄膜和第二YIG薄膜间，第一YIG薄膜和第二YIG薄膜均接地，这样配合其特有的结构，通过边缘耦合的方式，改变外加偏置均匀磁场的大小，近似线性地改变带通滤波器的中心频率，克服了传统滤波器中心频率不可调谐的缺点或调谐范围窄的问题，实现体积小，易于MMIC集成、调谐方便、装配简单的效果。
主权项：1.一种低频的窄带YIG带通滤波器，包括壳体（1）和电路基板（2），所述壳体（1）罩于电路基板（2）上，壳体（1）内设置有金属谐振腔（3），所述电路基板（2）表面设置有微带电路，其特征在于，所述微带电路包括输入微带线结构、传递微带线结构、输出微带线结构、第一YIG薄膜（6）和第二YIG薄膜（7）；所述输入微带线结构与RF输入端口连接，并能与第一YIG薄膜（6）边缘耦合；所述输出微带线结构与RF输出端口连接，并能与第二YIG薄膜（7）边缘耦合；所述传递微带线结构设于第一YIG薄膜（6）和第二YIG薄膜（7）间，并分别能与第一YIG薄膜（6）和第二YIG薄膜（7）边缘耦合；所述第一YIG薄膜（6）和第二YIG薄膜（7）均接地；所述壳体（1）上设置有第一凸台（4）和第二凸台（5），且第一凸台（4）和第二凸台（5）均朝向电路基板（2）向下凸出；所述第一YIG薄膜（6）一面设于第一凸台（4）上，第一YIG薄膜（6）另一面设置于电路基板（2）上；所述第二YIG薄膜（7）一面设于第二凸台（5）上，第二YIG薄膜（7）另一面设置于电路基板（2）上。
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权利要求：
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