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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：在实施例中，一种器件包括：具有第一侧壁的第一介电层；具有第二侧壁的第二介电层；位于第一介电层和第二介电层之间的字线，该字线具有外侧壁和内侧壁，内侧壁被从外侧壁、第一侧壁和第二侧壁开槽；沿着字线的外侧壁、字线的内侧壁、第一介电层的第一侧壁和第二介电层的第二侧壁延伸的存储器层；以及沿着存储器层延伸的半导体层。本申请提供了三维存储器件和方法。
主权项：1.一种存储器件，包括：第一介电层，具有第一侧壁；第二介电层，具有第二侧壁；字线，位于所述第一介电层和所述第二介电层之间，所述字线具有外侧壁和内侧壁，所述内侧壁被从所述外侧壁、所述第一侧壁和所述第二侧壁开槽；存储器层，沿着所述字线的外侧壁、所述字线的内侧壁、所述第一介电层的第一侧壁和所述第二介电层的第二侧壁延伸；以及半导体层，沿着所述存储器层延伸；位线，接触所述半导体层的侧壁和所述存储器层的侧壁；源极线，接触所述半导体层的侧壁和所述存储器层的侧壁；以及隔离区域，位于所述源极线和所述位线之间，所述隔离区域接触所述半导体层的侧壁和所述存储器层的侧壁。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 三维存储器件和方法
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