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申请/专利权人：合肥通用机械研究院有限公司;合肥通用机械研究院特种设备检验站有限公司
摘要：本发明属于材料表征技术领域，尤其是一种运用原位X射线衍射表征气体吸附性能的方法。本发明包括如下步骤：S1、搭建装备；S2、装样与预处理；S3、原位X射线衍射恒温吸附‑脱附测试；S4、原位X射线衍射恒压吸附‑脱附测试；S5、用Rietveld精修法对所得到的X射线衍射图谱进行精修，并提取精修结果中吸附气体的占位与占比。本发明只运用原位X射线衍射来同时表征材料吸附过程中的微观和宏观变化，不仅简化了测试过程，弱化了对样品质量的要求，并且可以测量恒温吸附线和恒压吸附线，便于获得更加精确的结果和更多的材料性能信息。
主权项：1.一种运用原位X射线衍射表征气体吸附性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、搭建装备：准备待测样品1、密封容器2、气路控制系统3、温度控制装置4、X射线源5、X射线探测器6；S2、装样与预处理：将待测样品1装载在密封容器2内并连接气路控制系统3；S3、原位X射线衍射恒温吸附-脱附测试：通过温度控制装置4恒定待测样品1的所处环境温度，再通过气路控制系统3向密封容器2中缓慢通入吸附气体，待压力数值稳定后，开启X射线源5和X射线探测器6，并得到该压力下的衍射图谱；逐步提升吸附气体的压力并重复该步骤；S4、原位X射线衍射恒压吸附-脱附测试：通过气路控制系统3恒定待测样品1所处压力，随后开启X射线源5和X射线探测器6，通过温度控制装置4使待测样品1从室温逐步下降，在此期间记录每一次衍射图谱所对应的实际温度，并得到对应温度下的原位X射线衍射图谱；S5、用Rietveld精修法对所得到的X射线衍射图谱进行精修，并提取精修结果中吸附气体的占位与占比；所述待测样品1为多孔晶体材料；步骤S1和步骤S2中所述待测样品1处在真空和室温的条件下；所述占位为气体分子在晶体材料的晶胞中的吸附位置，所述占比为在该吸附位置上实际吸附的气体分子与理论上该吸附位置所能容纳的气体分子的比例。
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