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申请/专利权人：西北有色金属研究院
摘要：本发明公开了一种制备高硬度双相结构中熵合金薄膜的方法，采用直流磁控溅射的方法，选用中熵合金CrCoNi靶材，在衬底上沉积制备中熵合金薄膜，该中熵合金薄膜具有纳米晶和非晶混合的双相结构。本发明采用直流磁控溅射的方法，选用中熵合金CrCoNi靶材，在衬底上沉积制备CrCoNi中熵合金薄膜，通过调控直流磁控溅射的工艺参数，对中熵合金薄膜的结构及性能进行优化，获得具有纳米晶和非晶混合的双相结构，且CrCoNi中熵合金薄膜中各元素分布均匀，表面粗糙度小，薄膜结构均匀致密，提高了中熵合金薄膜的硬度，该方法工艺简单方便，制备效率较高。
主权项：1.一种制备高硬度双相结构中熵合金薄膜的方法，其特征在于，采用直流磁控溅射的方法，选用质量纯度为99.99％以上的中熵合金CrCoNi靶材，在衬底上沉积制备中熵合金薄膜；所述中熵合金CrCoNi靶材中各元素为近等原子比：Cr33at％，Co34at％，Ni33at％；所述中熵合金薄膜具有纳米晶和非晶混合的双相结构，中熵合金薄膜的硬度为12.92GPa～15.42GPa；该方法包括以下步骤：步骤一、在室温条件下，将中熵合金CrCoNi靶材和衬底放入磁控溅射设备的磁控溅射腔内，并将磁控溅射腔的本底真空度抽至3×10-4Pa～5×10-4Pa，然后通入工作气体高纯氩气，且通入流量为25sccm，通过调整闸板阀将工作压力调节至0.8Pa；步骤二、启动磁控溅射设备，对中熵合金CrCoNi靶材进行20min以上的预溅射，然后打开挡板，对衬底进行直流磁控溅射沉积，直流磁控溅射沉积的溅射功率为100W，溅射时间为3h，衬底偏压为-100V，且直流磁控溅射沉积过程中衬底全程自转，转速为10rmin，再进行真空冷却至室温后取出；所述直流磁控溅射沉积采用间隔溅射方式，且每溅射60min，停止30min，或者所述直流磁控溅射沉积采用间隔溅射方式，且每溅射30min，停止30min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北有色金属研究院 一种制备高硬度双相结构中熵合金薄膜的方法
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