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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种垂直存储器件，所述垂直存储器件包括：沟道连接图案，所述沟道连接图案位于衬底上；栅电极，所述栅电极在所述沟道连接图案上沿第一方向彼此间隔开；以及沟道，所述沟道沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极和所述沟道连接图案。每个所述栅电极沿基本上平行于所述衬底的上表面的第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述衬底的所述上表面。在所述垂直存储器件的截面图中，所述沟道连接图案的中间部分的上表面在所述第一方向上的高度分别低于所述沟道连接图案的与所述沟道相邻的端部的所述上表面在所述第一方向上的高度，以及所述沟道连接图案的与所述沟道相对的端部的上表面在所述第一方向上的高度。
主权项：1.一种垂直存储器件，包括：沟道连接图案，所述沟道连接图案位于衬底上；栅电极，所述栅电极在所述沟道连接图案上沿第一方向彼此间隔开，每个所述栅电极沿基本上平行于所述衬底的上表面的第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述衬底的所述上表面；沟道，所述沟道沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极和所述沟道连接图案；以及公共源极线，所述公共源极线在所述衬底上沿所述第二方向延伸，所述公共源极线在第三方向上分割所述栅电极和所述沟道连接图案中的每一者，所述第三方向基本上平行于所述衬底的所述上表面且基本上垂直于所述第二方向，其中，所述沟道连接图案的与所述公共源极线相邻的端部的上表面比所述沟道连接图案的除了与所述沟道相邻的部分之外的其他部分的上表面高。
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