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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明的一种二极管触发的SCR器件，包括在P衬底上表面依次设有第一P阱、第一N阱、第二P阱、第二N阱、第三N阱；第一P阱上表面设有第一P+注入区，第一N阱上表面设有第一N+注入区和第二P+注入区，第一N+注入区与第一P+注入区间隔，第一N+注入区与第二P+注入区间隔；第二P阱和第二N阱上表面共同设有第二N+注入区，第二N阱上表面另外还设有第三P+注入区，第二N+注入区与第二P+注入区间隔，第二N+注入区与第三P+注入区间隔；第三N阱上表面设有第三N+注入区和第四P+注入区，第三N+注入区与第三P+注入区间隔，第三N+注入区与第四P+注入区间隔。本发明的结构使DTSCR器件具有更小的面积。
主权项：1.一种二极管触发的SCR器件，其特征在于：包括P衬底1，在P衬底1上表面依次设有第一P阱2、第一N阱3、第二P阱4、第二N阱5、第三N阱6；第一P阱2、第一N阱3、第二P阱4、第二N阱5依次紧靠，第二N阱5与第三N阱6之间间隔设置；第一P阱2上表面设有第一P+注入区13，第一N阱3上表面设有第一N+注入区14和第二P+注入区15，第一N+注入区14与第一P+注入区13之间通过第一沟槽7间隔设置，第一N+注入区14与第二P+注入区15之间通过第二沟槽8间隔设置；第二P阱4和第二N阱5上表面共同设有第二N+注入区16，第二N阱5上表面另外还设有第三P+注入区17，第二N+注入区16与第二P+注入区15之间通过第三沟槽9间隔设置，第二N+注入区16与第三P+注入区17之间通过第四沟槽10间隔设置；第三N阱6上表面设有第三N+注入区18和第四P+注入区19，第三N+注入区18与第三P+注入区17之间通过第五沟槽11间隔设置，第三N+注入区18与第四P+注入区19之间通过第六沟槽12间隔设置；第二P+注入区15与电学阳极连接，第一P+注入区13与电学阴极连接，第二N+注入区16与电学阴极连接，第一N+注入区14与第四P+注入区19电学连接，第三N+注入区18与第三P+注入区17电学连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 一种二极管触发的SCR器件
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