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申请/专利权人：西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
摘要：本发明公开了一种高磁性能FeGaB磁电薄膜的制备方法，属于磁电薄膜材料技术领域，以FeGa靶材和B靶材为原材料，使用脉冲激光沉积方法，由FeGa靶材和B靶材交替沉积获得，本发明制得的薄膜具有结晶程度高，矫顽力低，粗糙度小的优点，从而能够满足后续的新式磁电器件应用需求，提高后续制作的磁致伸缩压电器件的磁致伸缩能力和磁电耦合系数，满足应用条件。
主权项：1.一种高磁性能FeGaB磁电薄膜的制备方法，其特征在于：以FeGa靶材和B靶材为原材料，使用脉冲激光沉积方法，由FeGa靶材和B靶材交替沉积获得；每轮先所述FeGa靶材打靶75次，然后所述B靶材打靶26次；所述脉冲激光沉积过程中，激光频率10Hz，激光能量75mJ；所述脉冲激光沉积的工作气体为KrF。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) 一种高磁性能FeGaB磁电薄膜及其制备方法
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