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一种具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置 

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申请/专利权人:通威微电子有限公司

摘要:本发明公开了一种具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置,涉及碳化硅晶体生长设备领域。该具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置包括长晶炉、保温层、坩埚及传热组件,保温层容置于长晶炉内,保温层形成有保温区域,坩埚容置于保温区域内,传热组件设置于保温层上并贯穿保温层,传热组件用于伸长至与长晶炉的炉侧壁接触,以将保温区域内的热量传递至炉侧壁。本发明提供的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置能够在温度过高时对坩埚进行散热保护,保证碳化硅晶体的生长质量。

主权项:1.一种具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置,其特征在于,包括长晶炉110、保温层120、坩埚130及传热组件140,所述保温层120容置于所述长晶炉110内,所述保温层120形成有保温区域121,所述坩埚130容置于所述保温区域121内,所述传热组件140设置于所述保温层120上并贯穿所述保温层120,所述传热组件140用于伸长至与所述长晶炉110的炉侧壁111接触,以将所述保温区域121内的热量传递至所述炉侧壁111;所述传热组件140包括吸热件141、导热伸缩组件142及传热件143,所述吸热件141处于所述保温区域121内,所述传热件143处于所述保温层120与所述长晶炉110的炉侧壁111之间,所述导热伸缩组件142的一端与所述吸热件141连接,另一端贯穿所述保温层120与所述传热件143连接;所述传热件143为弹性件,在所述传热件143与所述炉侧壁111接触的状态下,所述传热件143与所述炉侧壁111的接触面积随所述导热伸缩组件142伸长量的增加而增加。

全文数据:

权利要求:

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