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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种MOSFET器件模型建立方法、系统、设备及存储介质，涉及半导体器件仿真技术领域。该器件模型建立方法，包括：建立全局模型；在全局模型中按照器件尺寸阵列生成点模型；以大尺寸点模型为参考，采用逐步赋值法依次调节器件尺寸阵列中其他点模型的器件参数；其中，大尺寸点模型与大尺寸器件相对应，大尺寸器件为栅极长度最长且栅极宽度最宽的MOSFET器件；基于全局模型中的点模型，生成分块模型。本发明MOSFET器件模型建立方法，在全局模型基础上继续提取分块模型的过程中，采用逐步赋值法提取点模型的器件参数，使得所建立的分块模型具有良好的连续性和准确性，同时能有效减少建模过程中点模型提取时间。
主权项：1.一种MOSFET器件模型建立方法，其特征在于，包括：建立全局模型；在所述全局模型中按照器件尺寸阵列生成点模型；以大尺寸点模型为参考，采用逐步赋值法依次调节器件尺寸阵列中其他所述点模型的器件参数；其中，所述大尺寸点模型与大尺寸器件相对应，所述大尺寸器件为器件尺寸阵列中栅极长度最长且栅极宽度最宽的MOSFET器件；基于所述全局模型中的所述点模型，生成分块模型；其中，所述以大尺寸点模型为参考，采用逐步赋值法依次调节器件尺寸阵列中其他所述点模型的器件参数，包括：以所述大尺寸点模型为起点，依次遍历每一所述点模型；对于遍历到的每一所述点模型：将上一遍历所述点模型的器件参数赋值于当前遍历所述点模型；调节当前遍历所述点模型的器件参数，直至当前遍历所述点模型的拟合曲线与测试曲线相吻合；在当前遍历的所述点模型中，保存调节后的所述器件参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 MOSFET器件模型建立方法、系统、设备及存储介质
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