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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

摘要：本发明提供一种嵌入式闪存器件的制作方法，包括：在衬底上形成高压NMOS器件的第一栅极和高压PMOS器件的第二栅极；在无掩膜的条件下向衬底进行高压PMOS的浅掺杂漏注入，注入同时在高压NMOS器件的第一栅极两侧的衬底和高压PMOS器件的第二栅极两侧的衬底形成P型浅掺杂漏区；在衬底上制作图形掩膜层，图形掩膜层具有用于高压NMOS器件的掺杂漏注入的窗口并遮蔽衬底的其余区域；基于窗口向衬底进行高压NMOS器件的浅掺杂漏注入，以使第一栅极两侧衬底的P型浅掺杂漏区反型为N型浅掺杂漏区。本发明可以有效节省高压PMOS器件浅掺杂漏注入所需的掩膜版，可以有效降低制造成本，缩短生产周期，提高生产效率。

主权项：1.一种嵌入式闪存器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：提供衬底，在所述衬底上形成高压NMOS器件的第一栅极和高压PMOS器件的第二栅极；在无掩膜的条件下向所述衬底进行高压PMOS的浅掺杂漏注入，所述注入同时在高压NMOS器件的第一栅极两侧的衬底和高压PMOS器件的第二栅极两侧的衬底形成P型浅掺杂漏区；在所述衬底上制作图形掩膜层，所述图形掩膜层具有用于高压NMOS器件的掺杂漏注入的窗口并遮蔽衬底的其余区域；基于所述窗口向所述衬底进行高压NMOS器件的浅掺杂漏注入，以使第一栅极两侧衬底的P型浅掺杂漏区反型为N型浅掺杂漏区；所述第一栅极和第二栅极包括依次层叠的栅氧层、多晶硅浮栅层、存储介质层和多晶硅控制栅层；在制作所述高压NMOS器件的第一栅极和高压PMOS器件的第二栅极时，还同时在所述衬底上形成选择晶体管的栅极和控制晶体管的栅极；在离子注入工艺在高压PMOS器件的第二栅极两侧衬底中形成P型源区和P型漏区时，还同时在所述衬底中形成所述选择晶体管的P型源区和P型漏区以及所述控制晶体管的P型源区和P型漏区；在无掩膜的条件下向所述衬底进行高压PMOS的浅掺杂漏注入前，还包括在所述衬底上沉积低压器件的栅氧层和多晶硅层，在无掩膜的条件下向所述衬底进行高压PMOS的浅掺杂漏注入时，所述低压器件的多晶硅层和栅氧层遮挡欲制备所述低压器件的源区和漏区的区域，在高压NMOS器件的浅掺杂漏注入后，再对所述低压器件的栅氧层和多晶硅层进行图形化以形成所述低压器件的栅极。

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