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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：一种压接型IGBT的电‑热‑机全耦合瞬态仿真方法，根据压接型IGBT几何结构绘制三维几何模型；根据压接型IGBT材料特性设置材料参数，材料参数包括电导率、热导率、密度、杨氏模量和显微硬度；显微观测测量压接型IGBT的各接触面表面，计算接触面表面平均粗糙高度、斜率，构建接触面的接触电阻、热阻模型；设置压接型IGBT仿真模型“电‑热‑机”多物理场边界条件；求解稳态解；以稳态解作为初始值求解瞬态解。
主权项：1.一种压接型IGBT的电-热-机全耦合瞬态仿真方法，其特征在于，包括如下步骤：根据压接型IGBT几何结构绘制三维几何模型；根据压接型IGBT材料特性设置材料参数，材料参数包括电导率、热导率、密度、杨氏模量和显微硬度；显微观测测量压接型IGBT的各接触面表面，计算接触面表面平均粗糙高度、斜率，其中，接触面的平均粗糙高度和斜率由式1和2计算， 式中，N为测量点数，z为高度，x为测试横坐标，构建接触面的接触电阻、热阻模型，接触面的平均热导率hc表示为： 式中，kdst和ksrc分别是目标面和源面的导热系数；P是两个接触面之间的接触压力；Hc是显微硬度；σasp和masp表示为两个接触表面构成的平均粗糙高度与斜率，分别如式5和6所描述， 接触面接触电导率由式7计算： 式中，λdst和λsrc分别是目标面和源面的电导率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 压接型IGBT的电-热-机全耦合瞬态仿真方法
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