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申请/专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
摘要：本发明公开了一种基于RRAM的非易失性触发器数据写入保护方法，其中，非易失性触发器包括锁存单元，锁存单元通过第一晶体管与RRAM的存储单元相连接，锁存单元与第一晶体管之间具有第一节点，第一晶体管与存储单元之间具有第二节点，方法包括：将第一晶体管的控制信号和存储单元的SET信号设为高电平，判断第一节点的电压状态，如果第一节点的电压为低电平，则对RRAM进行写入操作并控制RRAM达到保护阻态，其中，当第一节点达到非易失性触发器的翻转电压时，锁存单元状态自动翻转，从而停止写入过程；由此，通过锁存结构进行数据写入可以精确控制RRAM的写入阻态且不需要额外的验证过程，在降低写入时间的同时还能防止因为过度操作导致的后续阻态切换性能。
主权项：1.一种基于RRAM的非易失性触发器数据写入保护方法，其特征在于，所述非易失性触发器包括锁存单元，所述锁存单元通过第一晶体管与所述RRAM的存储单元相连接，所述锁存单元与所述第一晶体管之间具有第一节点，所述第一晶体管与所述RRAM的存储单元之间具有第二节点，所述数据写入方法包括：将所述第一晶体管的控制信号设为高电平，以及将所述RRAM的存储单元的SET信号设为高电平，以便形成写入通路；判断所述第一节点的电压状态；如果所述第一节点的电压为高电平，则所述RRAM阻态保持高阻态，存储数据为0；如果所述第一节点的电压为低电平，则对所述RRAM进行写入操作并控制所述RRAM达到保护阻态，存储数据为1；其中，在所述RRAM进行写入操作时，随着所述RRAM阻态的降低，所述第二节点的电压跟着上升，当所述第一节点达到所述非易失性触发器的翻转电压时，所述第一节点由低电平变为高电平，并通过所述锁存单元控制保持高电平，以便控制所述RRAM达到保护阻态，实现数据写入保护。
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权利要求：
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