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申请/专利权人：常州大学
摘要：本发明涉及神经形态电路技术领域，尤其涉及一种忆阻离子通道型神经形态电路，包括：压控型二阶局部有源忆阻W、直流偏置电压E、电容CM和正弦激励信号Iext，压控型二阶局部有源忆阻W串联直流偏置电压E作为离子通道，电容CM作为神经元脂质双层膜，调节正弦激励信号Iext的电流幅值，产生周期六簇发放电、混沌尖峰放电和周期四尖峰放电行为。本发明设计一种忆阻离子通道型神经形态电路，涉及生物神经元中离子通道的忆阻表达问题，进而通过硬件电路加以实现。
主权项：1.一种忆阻离子通道型神经形态电路，其特征在于，包括：压控型二阶局部有源忆阻W、直流偏置电压E、电容CM和正弦激励信号Iext，压控型二阶局部有源忆阻W串联直流偏置电压E作为离子通道，电容CM作为神经元脂质双层膜，调节正弦激励信号Iext的电流幅值，产生周期六簇发放电、混沌尖峰放电和周期四尖峰放电行为。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州大学 一种忆阻离子通道型神经形态电路
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