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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供了一种红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片。红外光电器件包括：衬底，所述衬底上形成有p型掺杂区和n型掺杂区，其中，所述p型掺杂区与所述n型掺杂区不接触；单晶窄带隙材料台面，设置于所述衬底的上表面，且位于所述p型掺杂区和所述n型掺杂区之间，其中，所述单晶窄带隙材料台面用以控制所述p型掺杂区和所述n型掺杂区之间载流子的流动方向，从而在所述单晶窄带隙材料台面中形成从所述n型掺杂区指向所述p型掺杂区的电场。
主权项：1.一种红外光电器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有p型掺杂区和n型掺杂区，其中，所述p型掺杂区与所述n型掺杂区不接触；单晶窄带隙材料台面，设置于所述衬底的上表面，且位于所述p型掺杂区和所述n型掺杂区之间，其中，所述单晶窄带隙材料台面用以控制所述p型掺杂区和所述n型掺杂区之间载流子的流动方向，从而在所述单晶窄带隙材料台面中形成从所述n型掺杂区指向所述p型掺杂区的电场。
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百度查询： 中国科学院半导体研究所 红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片
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