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申请/专利权人：青岛海存微电子有限公司;致真存储(北京)科技有限公司
摘要：本申请提供一种磁存储器及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决底电极存在不连续而导致磁存储器的性能差的技术问题，该磁存储器包括衬底、磁隧道结、介质结构、底电极和顶电极；磁隧道结和介质结构均设置于衬底上，介质结构设置于磁隧道结的外侧，且介质结构的上表面高于磁隧道结的上表面，顶电极设置于介质结构上；介质结构为多层结构，其靠近磁隧道结的侧壁间距在远离磁隧道结的垂直方向上逐层增大；底电极设置于磁隧道结上并覆盖所述介质结构和顶电极暴露的表面。本申请用于提高底电极的连续性，从而提升存储器的性能。
主权项：1.一种磁存储器，其特征在于，包括：衬底、磁隧道结、介质结构、底电极和顶电极；所述磁隧道结和所述介质结构均设置于所述衬底上，所述介质结构设置于所述磁隧道结的外侧，且所述介质结构的上表面高于所述磁隧道结的上表面，所述顶电极设置于所述介质结构上；所述介质结构为多层结构，其靠近所述磁隧道结的侧壁间距在远离所述磁隧道结的垂直方向上逐层增大；所述底电极设置于所述磁隧道结上并覆盖所述介质结构和所述顶电极暴露的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青岛海存微电子有限公司 致真存储(北京)科技有限公司 磁存储器及其制备方法
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