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申请/专利权人：合肥维信诺科技有限公司;维信诺科技股份有限公司
摘要：本申请提供了一种薄膜晶体管的测试方法、测试装置、测试设备和存储介质，涉及显示技术领域。薄膜晶体管包括衬底基板、源极、漏极和栅极，测试方法包括：检测薄膜晶体管的初始阈值电压；对源极、漏极和栅极施加相同的预设电压；持续第一预设时间后断开预设电压，检测薄膜晶体管的最终阈值电压；基于初始阈值电压和最终阈值电压，确定薄膜晶体管的阈值电压偏移量。上述方法通过对源极、漏极和栅极施加相同的预设电压，屏蔽薄膜晶体管的前沟道效应，使薄膜晶体管仅存在背沟道效应，进一步通过薄膜晶体管的初始阈值电压和最终阈值电压，确定薄膜晶体管的阈值电压偏移量，从而实现检测背沟道效应对薄膜晶体管的信赖性的影响。
主权项：1.一种薄膜晶体管的测试方法，所述薄膜晶体管包括衬底基板、源极、漏极和栅极，其特征在于，所述方法包括：检测所述薄膜晶体管的初始阈值电压；对所述源极、所述漏极和所述栅极施加相同的预设电压；持续第一预设时间后断开所述预设电压，检测所述薄膜晶体管的最终阈值电压；基于所述初始阈值电压和所述最终阈值电压，确定所述薄膜晶体管的阈值电压偏移量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥维信诺科技有限公司 维信诺科技股份有限公司 薄膜晶体管的测试方法、测试装置、测试设备和存储介质
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