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存储器元件及其制造方法 

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申请/专利权人:南亚科技股份有限公司

摘要:本揭露提供一种存储器元件包括基材、氧化物层以及间隔物。基材包括硅层、氮化物层以及隔离沟槽。氮化物层覆盖硅层。隔离沟槽贯穿氮化物层与硅层的部位。氧化物层填充隔离沟槽且具有表面与氮化物层的表面共平面。氧化物层环绕间隔物。氧化物层覆盖间隔物的顶面。可以使高度小型化的存储器元件具有较少的位元线漏电流问题。

主权项:1.一种存储器元件,其特征在于,包含:基材,包含:硅层;氮化物层,覆盖该硅层;以及多个隔离沟槽,贯穿该氮化物层与该硅层的部位;氧化物层,填充所述多个隔离沟槽且具有表面与该氮化物层的表面共平面;以及多个间隔物,由该氧化物层环绕,其中该氧化物层覆盖所述多个间隔物的多个顶面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南亚科技股份有限公司 存储器元件及其制造方法

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