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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

摘要：本发明公开了一种高利用率的电阻并联结构，包括：第一控制开关阵列，用于通过接通开关管接入所连接的电阻阵列的左侧若干电阻；第二控制开关阵列，用于通过接通开关管接入所连接的电阻阵列的右侧若干电阻；电阻阵列，用于在所述第一控制开关阵列和第二控制开关阵列的控制下将左侧若干电阻与右侧若干电阻接入以进行并联，通过本发明，可提高电阻并联结构的电阻利用率。

主权项：1.一种高利用率的电阻并联结构，包括：第一控制开关阵列，由开关管NM10～NM17组成，用于在n选1开关的控制下接通开关管NM1i以接入左侧某些电阻R1、R3、R5、R7、R9、R11、R13、R15；第二控制开关阵列，由开关管NM20～NM27组成，用于在n选1开关的控制下接通开关管NM2i以接入右侧某些电阻R2、R4、R6、R8、R10、R12、R14、R16；电阻阵列，由电阻R1～R16组成，用于在所述第一控制开关阵列和所述第二控制开关阵列的控制下将左侧某些电阻与右侧某些电阻接入以进行并联；其中，电阻R1的一端和电阻R2的一端连接在一起组成并联电阻的正端PLUS；控制信号CTRLi连接至开关管NM1i的栅极，开关管NM1i的一端连接电阻R2i+1的另一端和R2i+3的一端即电阻R2i+1和R2i+3的公共端，i＝0,1,2......,6，控制信号CTRL7连接至开关管NM17的栅极，开关管NM17的一端连接电阻R15的另一端；控制信号CTRL7-i连接至开关管NM2i的栅极，开关管NM2i的一端连接电阻R2i+2的另一端和R2i+4的一端即电阻R2i+2和R2i+4的公共端，i＝0,1,2......,6，控制信号CTRL0连接至开关管NM27的栅极，开关管NM27的一端连接电阻R16的另一端；开关管NM1i、NM2i的另一端，i＝0,1,2……,7，连接在一起组成并联电阻的负端MINUS；当CTRLi＝1时，开关管NM1i和NM2i接通，左侧若干电阻R2j+1，j＝0,1,2......,i串联后组成左侧电阻支路，同时右侧若干R2j+2，j＝0,1,2......,7-i，串联后组成右侧电阻支路，左侧电阻支路与右侧电阻支路并联被接入回路。

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