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申请/专利权人：滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
摘要：本申请公开了一种阵列基板的制程方法、阵列基板和显示面板，所述阵列基板包括：衬底；第一金属层，设置在所述衬底上；第二金属层，设置在所述第一金属层的上方；其中，所述第一金属层和所述第二金属层属于不同层且相互绝缘，所述第一金属层和第二金属层中的至少一个为铜钼金属层，所述铜钼金属层包括铜金属层和钼金属层，所述钼金属层设置在所述铜金属层的下方，所述钼金属层的厚度为200埃米至300埃米，所述铜金属层的厚度为2800埃米至3600埃米。通过调整铜钼金属层中的钼金属层的厚度和铜金属层的厚度，从而防止钼残留或者倒角的情况发生。
主权项：1.一种阵列基板的制程方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上沉积第一金属材料层，蚀刻第一金属材料层形成第一金属层；在所述第一金属层上形成绝缘层；在所述绝缘层上方沉积有源材料层，蚀刻有源材料层形成有源层；在所述有源层上沉积第二金属材料层，蚀刻第二金属材料层形成第二金属层；在所述第二金属层上形成钝化层；以及在所述钝化层上方沉积透明电极材料层，蚀刻透明电极材料层形成透明电极层；其中，所述第一金属层和第二金属层中的至少一个为铜钼金属层，所述铜钼金属层包括铜金属层和钼金属层，所述钼金属层的厚度为200埃米至300埃米，所述铜金属层的厚度为2800埃米至3600埃米；所述在衬底上沉积第一金属材料层，蚀刻第一金属材料层形成第一金属层的步骤中，采用的蚀刻液为预溶铜溶液；所述预溶铜溶液的制作方法包括如下过程：在玻璃大板上镀铜；将仅镀铜的玻璃大板投进不含有铜离子的蚀刻液中；以及控制仅镀铜的玻璃大板在蚀刻液中的蚀刻时间，得到含有预定浓度铜离子的预溶铜溶液；其中，所述预溶铜溶液中的铜离子的浓度为0-500ppm。
全文数据：
权利要求：
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