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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种集成电路版图处理方法及与之相应的专用模组、存储介质、设备及光刻机；针对边缘保护图形在电路网表校验中可能被忽略的潜在风险，公开了一种确保电路校验可靠性的版图数据处理方法。本方法不仅适用于MOSFET器件或者MOSVaractor，对于符合预设标准的晶体管均可起到改善抽取效率、提升产品质量的作用。
主权项：1.一种集成电路版图处理方法，其特征在于，包括：获取微电子器件特征图形的第一特征数据（101、102、103、104、105）；其中，所述第一特征数据（101、102、103、104、105）由所述特征图形的第二特征数据（201、202、203、204、205）与第三特征数据（301、302）的交集形成，所述第二特征数据（201、202、203、204、205）为所述微电子器件的多晶硅薄膜特征图形，所述第三特征数据（301、302）为所述微电子器件扩散区的特征图形；获取所述特征图形的第五特征数据（411、412、413、421）；其中，所述第五特征数据（411、412、413、421）由所述特征图形的第一特征数据（101、102、103、104、105）与第四特征数据（400）的交集形成，所述第四特征（400）数据为所述特征图形边缘识别层的特征数据；分割所述特征图形的第五特征数据（411、412、413、421）为第六特征数据（411、412、413）和第七特征数据（421）；其中，所述第六特征数据（411、412、413）的特征值为第一预设值，所述第七特征数据（421）的特征值为第二预设值；依所述特征值，抽取与所述特征值对应的预设特征图形，并对所述特征图形对应的电路进行网表校验。
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百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种版图处理方法、模组、存储介质、设备及光刻机
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