龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种硅控整流器结构，包括：按照列方向依次设置在衬底内的第一阱区至第N阱区，第一阱区为N型阱区；设置在每个阱区内中若干P+区和若干N+区，P+区和N+区在行方向和列方向上均为交叉设置；沿着列方向的P+区和相邻的N+区之间通过N型阱区和P型阱区隔开，P+区在列方向上和相邻的N+区以及N型阱区和P型阱区形成硅控整流器电路的PNP三极管和NPN三极管，P+区在行方向上与相邻的N+区以及N+区在行方向上与相邻的P+区均组成触发二极管；第一阱区中的所有P+区均接阳极端，第N阱区中的所有N+区均接阴极端，在列方向上，将相邻的N+区与P+区电性连接。
主权项：1.一种硅控整流器结构，其特征在于，包括：按照列方向依次设置在衬底内的第一阱区至第N阱区，N个所述阱区包括若干个N型阱区和若干个P型阱区，且所述第一阱区为N型阱区；设置在每个所述阱区内中若干P+区和若干N+区，所述N+区的离子浓度大于所述N型阱区的离子浓度，所述P+区的离子浓度大于所述P型阱区的离子浓度，所有所述P+区和N+区组合呈阵列形式，所述P+区和N+区在行方向和列方向上均为交叉设置，所述列方向和行方向相互垂直设置；其中，沿着所述列方向的P+区和相邻的N+区之间通过部分N型阱区和部分P型阱区隔开，所述P+区在列方向上和相邻的N+区以及部分N型阱区和部分P型阱区形成硅控整流器电路的PNP三极管和NPN三极管，所述P+区在行方向上与相邻的N+区以及所述N+区在行方向上与相邻的P+区均组成硅控整流器电路的触发二极管；所述第一阱区中的所有P+区均接阳极端，所述第N阱区中的所有N+区均接阴极端，在所述列方向上，将相邻的所述N+区与P+区电性连接，且每个所述P+区电性连接一个阳极端或者一个N+区，每个所述N+区电性连接一个阴极端或者一个P+区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 硅控整流器结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号