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申请/专利权人：国科大杭州高等研究院;中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要：本发明提供一种稀土元素Sm掺杂的铪锡酸铅基反铁电陶瓷、制备方法及应用，在传统铪酸铅基体上，引入Sn离子进入晶格B位，增强材料的弛豫特性并增强其反铁电性；同时，在铪锡酸铅基体中，引入稀土元素Sm，向A位引入了异价离子Sm3+，使得原本的晶体结构发生畸变，容忍因子降低，反铁电性进一步增强，原本长程有序的结构排列被破坏，致使局部区域的结构和性能发生大的改变，诱导相变发生并诱发随机场，有利于形成纳米畴，使得畴翻转势垒降低，剩余极化强度进一步减小；并且，由于异价离子Sm取代，形成了A位空位，在一定程度有利于抑制载流子的数量和迁移速率，对击穿强度有促进作用，储能特性进一步提升，在脉冲功率中具有良好的应用前景。
主权项：1.一种稀土元素Sm掺杂的铪锡酸铅基反铁电陶瓷，其特征在于，所述稀土元素Sm掺杂的铪锡酸铅基反铁电陶瓷的化学式为：Pb1-1.5xSmxHf0.85Sn0.15O3，其中：0＜x≤0.08，优选为：0.02≤x≤0.05。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国科大杭州高等研究院 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种稀土元素Sm掺杂的铪锡酸铅基反铁电陶瓷、制备方法及应用
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