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申请/专利权人：无锡芯感智半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种多量子点基底的制备工艺。本发明提供第一PDMS基底；对所述第一PDMS基底进行辐照处理，以改善所述第一PDMS基底表面疏水性，得到亲水的第二PDMS基底；膨胀处理所述第二PDMS基底，得到亲水且膨胀的第三PDMS基底；在所述第三PDMS基底表面制作一层六方密排PS微球结构层；对所述六方密排PS微球结构层进行湿法刻蚀处理，使PS微球形成微锥形尖凸结构，形成六方排列PS微锥结构层；冷却处理所述第三PDMS基底，使其在冷却过程中发生收缩，使所述六方排列PS微锥结构层形成更高排列密度的六方密排PS微锥结构层；在所述六方密排PS微锥结构层上制备一层分子聚合物层。本发明能够显著提升柔性传感器的检测下限及灵敏度。
主权项：1.一种多量子点基底的制备工艺，其特征在于，包括：提供第一PDMS基底；对所述第一PDMS基底进行辐照处理，以改善所述第一PDMS基底表面疏水性，得到亲水的第二PDMS基底；膨胀处理所述第二PDMS基底，得到亲水且膨胀的第三PDMS基底；在所述第三PDMS基底表面制作一层六方密排PS微球结构层；对所述六方密排PS微球结构层进行湿法刻蚀处理，使PS微球形成微锥形尖凸结构，形成六方排列PS微锥结构层；冷却处理所述第三PDMS基底，使其在冷却过程中发生收缩，使所述六方排列PS微锥结构层形成更高排列密度的六方密排PS微锥结构层；在所述六方密排PS微锥结构层上制备一层分子聚合物层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡芯感智半导体有限公司 一种多量子点基底的制备工艺
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