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申请/专利权人:复旦大学
摘要:本发明公开一种基于激光解键合的铌酸锂负电容晶体管及其三维集成方法。该方法包括以下步骤:在Si衬底上制备基于单晶LiNbO3薄膜的单层NCFET器件层;重复上述步骤,获得多个单层NCFET器件层;将第二层NCFET器件层与支撑衬底键合,对背面Si衬底减薄并处理,使其易于直接键合;将形成在支撑衬底的第二层NCFET器件层与第一层器件层直接键合,形成稳定的键合对;进行激光解键合剥离支撑衬底,清洗去除键合胶,完成两层NCFET器件层的堆叠;重复上述步骤,完成多层NCFET器件层的堆叠;形成顶层NCFET器件层的源漏电极及连接各层器件层源漏电极的硅通孔,完成三维集成。
主权项:1.一种基于激光解键合的铌酸锂负电容晶体管三维集成方法,其特征在于,包括以下步骤:在Si衬底上制备基于单晶LiNbO3薄膜的单层NCFET器件层;重复上述步骤,获得多个单层NCFET器件层;将第二层NCFET器件层与支撑衬底键合,对背面Si衬底减薄并处理,使其易于直接键合;将形成在支撑衬底的第二层NCFET器件层与第一层器件层直接键合,形成稳定的键合对;进行激光解键合剥离支撑衬底,清洗去除键合胶,完成两层NCFET器件层的堆叠;重复上述步骤,完成多层NCFET器件层的堆叠;形成顶层NCFET器件层的源漏电极及连接各层器件层源漏电极的硅通孔,完成三维集成。
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百度查询: 复旦大学 基于激光解键合的铌酸锂负电容晶体管及其三维集成方法
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