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申请/专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
摘要：本申请涉及碳化硅新材料技术领域的一种晶体生长装置，包括：坩埚，所述坩埚的内部空间由下至上依次形成有原料区和长晶区；过滤件，所述过滤件设于所述长晶区，所述过滤件靠近所述长晶区的外围布置。本申请的晶体生长装置可以减少晶体缺陷的产生，提高所生长晶体的品质，在保证长晶厚度能达标的同时，提高晶体质量，降低生产成本，解决晶锭边缘易出现的多晶杂晶缺陷同时减少晶体后续处理工序中的开裂问题。
主权项：1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚，所述坩埚的内部空间由下至上依次形成有原料区和长晶区；过滤件，所述过滤件设于所述长晶区，所述过滤件靠近所述长晶区的外围布置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 金华博蓝特新材料有限公司 一种晶体生长装置
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