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申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心
摘要：本发明公开了一种非均匀耐压层超结MOSFET及其制造方法，包括在衬底上通过外延生长形成漂移区；通过N次刻蚀工艺由上至下依次去除漂移区两侧的部分结构，在漂移区的两侧面形成由上至下逐渐增大的阶梯，通过外延回填工艺在漂移区两侧面的阶梯处形成N个柱区；通过外延工艺在最上层柱区之上形成阱区，通过离子注入或扩散、退火工艺在阱区内部两侧形成相毗邻的源区和体区；通过LPCVD工艺和刻蚀工艺在漂移区和阱区之上形成栅介质；在栅极的两侧及之上、栅介质的两侧形成隔离介质，在隔离介质的两侧及之上形成源极，在衬底的底部形成漏极；本发明提升了超结MOSFET的EMI特性和应用可靠性。
主权项：1.一种非均匀耐压层超结MOSFET的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在衬底上通过外延生长形成漂移区；步骤2、通过N次刻蚀工艺从上至下依次去除漂移区两侧的部分结构，在漂移区的两侧面形成由上至下逐渐增大的阶梯，通过外延回填工艺在漂移区两侧面的阶梯处形成N个柱区，N个柱区从下至上依次堆叠且宽度依次增加，N个柱区均与漂移区毗邻；步骤3、通过外延工艺在最上层柱区之上形成阱区，通过离子注入或扩散、退火工艺在阱区内部两侧形成相毗邻的源区和体区，源区位于阱区中部，体区位于阱区边缘；步骤4、通过LPCVD工艺和刻蚀工艺在漂移区和阱区之上形成栅介质，栅介质的两侧边位于源区之上，在栅介质之上形成栅极；步骤5、在栅极的两侧及之上、栅介质的两侧形成隔离介质，在隔离介质的两侧及之上形成源极，在衬底的底部形成漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京第三代半导体技术创新中心有限公司 中国电子科技集团公司第五十五研究所 南京第三代半导体技术创新中心 非均匀耐压层超结MOSFET及其制造方法
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