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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括鳍片结构，所述鳍片结构之间的半导体衬底中形成有源极，所述鳍片结构中形成有漏极；位于所述鳍片结构侧壁和半导体衬底表面的隧穿氧化层以及位于所述隧穿氧化层侧壁的浮栅层；位于所述半导体衬底上的若干隔离结构，所述若干隔离结构隔断所述鳍片结构、隧穿氧化层和浮栅层；位于所述浮栅层、隧穿氧化层和鳍片结构表面的栅间介质层和控制栅层。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以在保证足够沟道长度的前提下缩小存储单元面积，可以有效解决传统或非型闪存结构因关键尺寸缩小带来的短沟道效应以及寄生电容的问题。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相互垂直的Ⅰ方向和Ⅱ方向，所述半导体衬底表面包括若干平行于Ⅱ方向垂直于Ⅰ方向的鳍片结构；在所述鳍片结构之间的半导体衬底中形成源极，在所述鳍片结构中形成漏极；在所述鳍片结构和半导体衬底表面依次形成隧穿氧化层和浮栅层，所述浮栅层顶面与所述隧穿氧化层顶面平齐；在所述半导体衬底上形成若干平行于Ⅰ方向垂直于Ⅱ方向的隔离结构，所述若干隔离结构隔断所述鳍片结构、隧穿氧化层和浮栅层；在所述浮栅层中形成贯穿所述浮栅层的第一沟槽；在所述第一沟槽侧壁和底部以及浮栅层和隧穿氧化层顶面依次形成栅间介质层和控制栅层，所述控制栅层顶面和所述栅间介质层顶面平齐。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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