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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开的实施例涉及脉宽调制电路。本公开涉及开关模式电源的脉宽调制电路，脉宽调制电路被形成在单片半导体衬底中以及在单片半导体衬底上，单片半导体衬底具有涂覆有氮化镓层的面，所述电路适于控制所述开关模式电源的功率晶体管。
主权项：1.一种设备，包括：开关模式电源；脉宽调制PWM控制电路，所述PWM控制电路在所述开关模式电源中；单片半导体衬底，所述单片半导体衬底具有面，所述面被涂覆有氮化镓层，所述PWM控制电路被形成在所述单片半导体衬底上；以及功率晶体管，所述PWM控制电路被配置为控制所述功率晶体管。
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