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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及存储器装置及制造存储器装置的方法，存储器装置包括：源极结构和与源极结构间隔开的接触插塞。源极结构的面对接触插塞的部分形成为凹的。
主权项：1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：源极结构，所述源极结构包括沿着彼此交叉的第一方向和第二方向延伸的顶表面，所述源极结构包括沿着所述第一方向交替地设置的凹部和突出部；接触插塞，所述接触插塞与所述源极结构的侧壁间隔开，所述接触插塞面对所述凹部；以及栅极层叠结构，所述栅极层叠结构包括交替地设置在所述源极结构上方的多个绝缘层和多个导电层，其中，所述源极结构的所述突出部比所述源极结构的所述凹部在所述第二方向上突出得更远。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 存储器装置及制造存储器装置的方法
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