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申请/专利权人：西交利物浦大学
摘要：本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法与应用，所述晶体管包括衬底、氮化镓外延层、氮化铝镓势垒层、氧化铝介电层、未被氧化p型氮化镓层、已被氧化p型氮化镓层、源漏极和栅极。所述制备方法包括：1在氮化镓外延片上形成有源区；2对器件进行高密度氧等离子体处理，依次形成已被氧化p型氮化镓层和氧化铝介电层；3刻蚀源漏区表面未被氧化p型氮化镓层，生长金属，分别独立地形成源极和漏极；4对器件进行快速热退火，形成欧姆接触；5在未被氧化p型氮化镓层表面沉积栅极金属，形成栅极，得到氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明提升了器件的高温及高压耐受性和电学性能，避免了p型氮化镓层刻蚀导致的损伤。
主权项：1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述氮化镓高电子迁移率晶体管包括衬底；层叠设置于所述衬底上的氮化镓外延层和氮化铝镓势垒层；分别独立地设置于所述氮化铝镓势垒层表面两端的源极和漏极；设置于所述氮化铝镓势垒层表面中央的未被氧化p型氮化镓层；分别独立地设置于所述未被氧化p型氮化镓层两侧且层叠设置的氧化铝介电层和已被氧化p型氮化镓层；设置于所述未被氧化p型氮化镓层上的栅极；所述氧化铝介电层设置于所述氮化铝镓势垒层和已被氧化p型氮化镓层之间；所述氧化铝介电层的厚度为0-10nm，但不包含0；所述氮化镓高电子迁移率晶体管采用如下方法制备得到，所述方法包括：1在氮化镓外延片上形成器件加工的有源区，得到第一器件；2对步骤1所得第一器件进行高密度氧等离子体处理，依次形成已被氧化p型氮化镓层和氧化铝介电层，得到第二器件；3刻蚀步骤2所得第二器件的源漏区表面未被氧化p型氮化镓层，生长金属，分别独立地形成源极和漏极，得到第三器件；4对步骤3所得第三器件进行快速热退火，形成欧姆接触，得到第四器件；5在步骤4所得第四器件的未被氧化p型氮化镓层表面沉积栅极金属，形成栅极，得到氮化镓高电子迁移率晶体管；其中，步骤1所述氮化镓外延片包括层叠设置的衬底、氮化镓外延层、氮化铝镓势垒层和p型氮化镓层。
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权利要求：
百度查询： 西交利物浦大学 一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法与应用
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