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申请/专利权人：三峡大学
摘要：一种GaN器件结温测量电路及测量方法，测量电路包括微处理器、电源模块、驱动模块、监测模块。微处理器分别连接驱动模块、监测模块，驱动模块、监测模块均连接GaN器件，电源模块分别连接驱动模块、监测模块，用于向所述驱动模块、监测模块供电。本发明的监测电路在保证器件的正常运行情况下，具有实时在线监测器件结温的潜能。该监测电路的集成度高，监测的方法易于实施，可提高GaN功率半导体器件的可靠性。
主权项：1.一种GaN器件结温测量电路，其特征在于包括：微处理器、电源模块、驱动模块、监测模块；微处理器分别连接驱动模块、监测模块，驱动模块、监测模块均连接GaN器件，电源模块分别连接驱动模块、监测模块，用于向所述驱动模块、监测模块供电；所述监测模块在控制信号S1的控制下，获取当前GaN器件栅极电压VGS，并使其稳定到指定的恒定值，通过提取栅极电流，实现器件结温的提取；所述驱动模块包括驱动芯片、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、二极管D1、二极管D2、功率开关器件FD1；驱动芯片的输入端通过电阻R1与微处理器发出的输入控制信号Sd端连接，驱动芯片的两个电源端分别与电源模块中输出Vcc和Vee两个电压的输出接口连接，驱动芯片的第一输出端与电阻R2一端相连，电阻R2另一端连接二极管D1阳极；驱动芯片的第二输出端通过连接电阻R3一端，电阻R3另一端连接二极管D1阴极，二极管D1阴极分别与二极管D2阴极和电阻R4一端连接，二极管D2阳极连接功率开关器件FD1源极，功率开关器件FD1漏极连接监测模块中的积分电压Vm端；微处理器发出的输入控制信号Sd和Sv通过与门输出控制信号S1，控制信号S1端通过电阻R6与功率开关器件FD1栅极连接，电阻R4另一端分别与电阻R5的一端、GaN器件的栅极连接，电阻R5另一端、GaN器件的源极均连接接地端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三峡大学 一种GaN器件结温测量电路及测量方法
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