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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了一种超薄氧化物修饰的半导体电极的制备方法，并将该电极应用于光电化学转化器件中。该制备方法包括以下步骤：S1：首先在导电基底上运用电泳法或滴涂法制备半导体薄膜；S2：取一定量的金属源，溶于溶剂中，配制成为前驱溶液；S3：将S2制备的溶液滴涂、旋涂或浸涂在S1制备的薄膜上；S4：在S3基础上进行氧等离子体（plasma）处理。本发明提供了一种操作简单、制备时间短、可大规模生产的超薄氧化物薄膜的制备方法，而且该超薄氧化物薄膜可以大幅提升光电化学（PEC）分解水性能，降低光催化产氢产氧成本，具有很好的应用前景。
主权项：1.一种超薄氧化物修饰的半导体电极的制备方法，包括以下步骤：S1：在导电基底上运用电泳法或滴涂法制备半导体薄膜；S2：取金属源溶于溶剂中，配制成为前驱溶液；S3：待S1制备的薄膜干燥后，将S2制备的溶液涂覆在S1制备的薄膜上；S4：对S3制备的材料进行氧等离子体处理；所述S1中所述半导体薄膜，是氧化钨和钒酸铋任何之一；所述金属源中含有金属阳离子，所述金属阳离子是Ti4+，所述溶剂是甲醇或水；经过O等离子体处理之后形成的超薄TiOx层包裹在WO3颗粒表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 一种超薄氧化物修饰的半导体电极及其制备方法
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