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申请/专利权人：齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要：本发明提供一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，属于晶体生长和固溶体制备技术领域。将氧化锌或者硝酸锌等不引入杂质元素的掺杂剂掺入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12前驱体，晶体生长时Zn进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙，同时抑制Na源和P源的挥发损失，提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相的含量。本发明通过Zn取代Zr进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙，同时抑制Na源和P源的挥发损失，可显著减少ZrO2和或Na2ZrSi2O7等晶相，为Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度提高及其钠离子电导率提高提供了理论基础和技术支撑。
主权项：1.一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2-xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将Na源、Zr源、Si源、P源、Zn源按照Na:Zr:Zn:Si:P=3:2-x:x:2:1（x=0.05～0.1）的摩尔比进行球磨混合，制得前驱体；（2）将步骤（1）中的前驱体置于管式炉中，由25℃程序升温至1100～1200℃，保温一段时间后，随炉冷却，制得Zn掺杂的Na3Zr2-xZnxSi2PO12。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 齐鲁工业大学(山东省科学院) 一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2-xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法
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