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申请/专利权人:西安众力为半导体科技有限公司
摘要:本发明公开了一种GaNHEMT功率器开关时间测试中栅极震荡优化方法,属于栅极震荡优化技术领域,GaNHEMT器件源极管脚处将栅源电流Igs和漏源电流Ids的共源对地回路进行分割,漏源电流Ids的对栅极驱动电压Vgs的干扰回路被隔离,栅源电流Igs对栅极驱动电压Vgs的影响,此时栅极驱动电压栅极驱动电压Vgs震荡被抑制,在GaNHEMT器件测试电路中,主功率PCB布板时将栅源电流Igs和漏源电流Ids的共源对地回路进行分割实现,分割栅极驱动与漏源负载端共源对地回路,漏源负载端大电流Ids的变化不会影响栅源极电压,从而防止栅极关断时大量高频振荡。
主权项:1.一种GaNHEMT功率器开关时间测试中栅极震荡优化方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:GaNHEMT器件的栅极驱动端与漏源负载端有两个相互并联的共源电感Ls,栅极驱动端与其中一个共源电感Ls以及电压Vdrive构成栅极驱动回路,栅极驱动回路内电流为栅源电流Igs;S2:漏源负载端与共源电感LS、稳压二极管以及GaNHEMT导通时通道组成漏源负载端回路,漏源负载端回路内电流为漏源电流Ids;S3:GaNHEMT器件源极管脚处将栅源电流Igs和漏源电流Ids的共源对地回路进行分割,漏源电流Ids对栅极驱动电压Vgs的干扰回路被隔离,栅极驱动电压Vgs受栅源电流Igs的影响,栅极驱动电压的公式如下所示:Vgs=Vdrive-Vs=Vdrive-。
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