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申请/专利权人：上海威固信息技术股份有限公司

摘要：本发明公开了一种基于双极性RRAM的非易失性可配置上拉电阻网络。包括并联的n个子电路，每个子电路包括RRAM，其两端分别与第一单元第二单元的PMOS晶体管相连，包括并联的两个限流电阻，分别与一组PMOS晶体管和一组NMOS晶体管相连。一个PMOS晶体管与使能EN、电源VDD相连，另一个PMOS晶体管与配置端口Kx相连。一个NMOS晶体管与地GND、信号BEN相连，另一个NMOS晶体管与配置端口K相连。本发明可以在断电时和再次上电后仍保持所配置的电阻，无须再次校准过程，能够大大加快高速串行电路等使用可配置上拉电阻网络的集成电路的启动速度。

主权项：1.一种基于RRAM的非易失性可配置上拉电阻网络，其特征在于：包括并联的n个子电路，即由子电路1至子电路n并联构成，其中，n为并联的可配置电阻数；输入端口A、输出端口B、使能端口EN、电阻配置值端口K0至Kn、电源端口VDD和地端口GND；其中，每个子电路包括RRAMx，RRAMx的一端与第一单元的一个PMOS晶体管相连，另一端与第二单元的一个PMOS晶体管相连，第一单元与第二单元为同构体，即结构相同，均包括并联的两个限流电阻，其中一个限流电阻与一组PMOS晶体管相连，另外一个限流电阻与一组NMOS晶体管相连；一组PMOS晶体管当中的一个PMOS晶体管与使能EN、电源VDD相连，另一个PMOS晶体管与配置端口Kx相连；一组NMOS晶体管当中的一个NMOS晶体管与地GND、信号BEN相连，另一个NMOS晶体管与配置端口Kx相连；具体连接方式如下：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管为一组连接于第一限流电阻R1的一端，第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管为一组连接于第二限流电阻R2的一端，第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管为一组连接于第三限流电阻R3的一端，第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管为一组连接于第四限流电阻R4的一端；第一PMOS晶体管的漏极连接第二PMOS晶体管的源极，第一PMOS晶体管的源极连接电源VDD，第一PMOS晶体管的栅极连接信号EN，第一PMOS晶体管的体连接电源VDD；第二PMOS晶体管的漏极连接第一限流电阻R1的一端，第二PMOS晶体管的源极连接第一PMOS晶体管的漏极，第二PMOS晶体管的栅极连接配置端口Kx，第二PMOS晶体管的体连接电源VDD；第三PMOS晶体管的漏极连接第四PMOS晶体管的源极，第三PMOS晶体管的源极连接电源VDD，第三PMOS晶体管的栅极连接信号EN，第三PMOS晶体管的体连接电源VDD；第四PMOS晶体管的漏极连接第三限流电阻R3的一端，第四PMOS晶体管的源极连接第三PMOS晶体管的漏极，第四PMOS晶体管的栅极连接信号BKx，第四PMOS晶体管的体连接电源VDD；第五PMOS晶体管的漏极连接RRAMx的端口P，第五PMOS晶体管的源极和体连接端口A，第五PMOS晶体管的栅极连接信号BEN；第六PMOS晶体管的漏极连接端口B，第六PMOS晶体管的源极和体连接RRAMx的端口Q，第六PMOS晶体管的栅极连接信号BEN；第一NMOS晶体管的漏极连接第二NMOS晶体管的源极，第一NMOS晶体管的源极连接地GND，第一NMOS晶体管的栅极连接信号BEN，第一NMOS晶体管的体连接地GND；第二NMOS晶体管的漏极连接第二限流电阻R2的一端，第二NMOS晶体管的源极连接第一NMOS晶体管的漏极，第二NMOS晶体管的栅极连接配置端口Kx，第二NMOS晶体管的体连接地GND；第三NMOS晶体管的漏极连接第四NMOS晶体管的源极，第三NMOS晶体管的源极连接地GND，第三NMOS晶体管的栅极连接信号BEN，第三NMOS晶体管的体连接地GND；第四NMOS晶体管的漏极连接第四限流电阻R4的一端，第四NMOS晶体管的源极连接第三NMOS晶体管的漏极，第四NMOS晶体管的栅极连接信号BKx，第四NMOS晶体管的体连接地GND；第一限流电阻R1的一端连接第二PMOS晶体管的漏极，另一端连接RRAMx的端口P；第二限流电阻R2的一端连接第二NMOS晶体管的漏极，另一端连接RRAMx的端口P；第三限流电阻R3的一端连接第四PMOS晶体管的漏极，另一端连接RRAMx的端口Q；第四限流电阻R4的一端连接第四NMOS晶体管的漏极，另一端连接RRAMx的端口Q。

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