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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本文公开了中段制程MOL互连件和用于形成MOL互连件的对应技术。示例性MOL互连结构包括设置在绝缘层中的无阻挡源极漏极接触件、无阻挡源极漏极通孔和无阻挡栅极通孔。无阻挡源极漏极设置在外延源极漏极上，并且无阻挡源极漏极接触件包括钨、钼或它们的组合。无阻挡源极漏极通孔设置在无阻挡源极漏极接触件上，并且无阻挡源极漏极通孔包括钼。无阻挡栅极通孔设置在与外延源极漏极相邻设置的栅极堆叠件上，并且无阻挡栅极通孔包括钨、钼或它们的组合。无阻挡源极漏极通孔和或无阻挡栅极通孔的宽度可以小于约16nm。无阻挡源极漏极通孔和或无阻挡栅极通孔可以同时形成例如，通过相同的自底向上沉积。本申请的实施例还涉及互连结构及其制造方法。
主权项：1.一种互连结构，包括：绝缘层；无阻挡源极漏极接触件，设置在所述绝缘层中，其中，所述无阻挡源极漏极接触件设置在外延源极漏极上，并且所述无阻挡源极漏极接触件包括钨、钼或它们的组合；无阻挡源极漏极通孔，设置在所述绝缘层中，其中，所述无阻挡源极漏极通孔设置在所述无阻挡源极漏极接触件上，并且所述无阻挡源极漏极通孔包括钼；以及无阻挡栅极通孔，设置在所述绝缘层中，其中，所述无阻挡栅极通孔设置在与所述外延源极漏极相邻设置的栅极堆叠件上，并且所述无阻挡栅极通孔包括钨、钼或它们的组合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 互连结构及其制造方法
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