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V族元素的新型无机甲硅烷基和聚甲硅烷基衍生物及其合成方法和使用其沉积的方法 

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申请/专利权人:乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

摘要:披露了含V族元素的前体及其合成方法和在膜沉积上使用其的方法。这些前体是SiR33‑mASiaH2a+1m、SiR33‑n‑pASiaH2a+1nSibH2b+1p或ASiaH2a+1SibH2b+1SicH2c+1其中a=1至6;b=1至6;c=1至6;a≠b≠c;m=1至3;n=1至2,p=1至2,n+p=2至3;A=As、P、Sb、Bi;并且R选自C1至C10直链、支链或环状的烷基、烯基、炔基。这些合成方法包括一种或多种卤代聚硅烷与A的三三烃基甲硅烷基衍生物之间的一步、两步或三步反应,或者两种或三种卤代聚硅烷的混合物与A的三三烃基甲硅烷基衍生物之间的一锅混合反应。沉积方法包括CVD、PECVD、ALD、PEALD、可流动CVD、HW‑CVD、外延等。

主权项:1.一种用于合成含V族元素的化合物的方法,该方法包括:使ASiR33与一种、两种或三种类型的卤代聚硅烷以序列或以混合物接触,其中该卤代聚硅烷选自由以下组成的组:X-SiaH2a+1、X-SibH2b+1和X-SicH2c+1;以及将ASiR33通过以下脱卤硅烷化以形成该含V族元素的化合物SiR33-mASiaH2a+1m、SiR33-n-pASiaH2a+1nSibH2b+1p或ASiaH2a+1SibH2b+1SicH2c+1逐步的一般反应:a.一步反应:ASiR33+mX-SiaH2a+1→SiR33-mASiaH2a+1m+mX-SiR3,b.两步反应:ASiR33+nX-SiaH2a+1→SiR33-nASiaH2a+1n+nX-SiR3SiR33-nASiaH2a+1n+pX-SibH2b+1→SiR33-n-pASiaH2a+1nSibH2b+1p+pX-SiR3,或c.三步反应:ASiR33+X-SiaH2a+1→SiR32ASiaH2a+1+X-SiR3SiR32ASiaH2a+1+X-SibH2b+1→SiR3ASiaH2a+1SibH2b+1+X-SiR3SiR3ASiaH2a+1SibH2b+1+X-SibH2b+1→ASiaH2a+1SibH2b+1SicH2c+1+X-SiR3;可替代地,与两种或三种卤代聚硅烷的混合物的一锅反应:ASiR33+xX-SiaH2a+1+yX-SibH2b+1+zX-SicH2c+1→ASiaH2a+1xSibH2b+1ySicH2c+1zSiR33-x-y-z+x+y+zX-SiR3,其中X=Cl、Br或I;a=1至6;b=1至6;c=1至6;a≠b≠c;m=1至3;n=1至2,p=1至2,n+p=2至3;x=0至3,y=0至3,z=0至3,x+y+z=1至3;A=选自As、P、Sb、Bi的V族元素;并且R选自C1至C10直链、支链或环状的烷基、烯基、炔基。

全文数据:

权利要求:

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