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申请/专利权人：基迈克材料科技(苏州)有限公司
摘要：本发明公开了一种硅基薄膜电阻用陶瓷金属靶材的制备方法，涉及溅射靶材加工领域，其技术方案要点是：步骤一：将TiB2粉、CrB2粉、Si粉、Cr粉、SiC粉、C粉中的两种以上粉末称重后球磨；步骤二：对混粉末进行离心喷雾造粒处理；步骤三：将造粒后的粉末加入到冷压模具内，冷压得到具有素坯；步骤四：将素坯放入热压模具内进行装模；步骤五：将石墨模具置于真空热压炉的压头下方，对模具进行预压1Mpa‑3MPa，设定烧结参数，烧结后降温至室温后取出模具并脱模。本发明的一种硅基薄膜电阻用陶瓷金属靶材的制备方法采用真空热压法并通过调整成分比例和工艺参数成功制备出了适用于磁控溅射薄膜电阻的高纯硅基陶瓷金属靶材。
主权项：1.一种硅基薄膜电阻用陶瓷金属靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将质量份数1-30份的TiB2粉、5-40份的CrB2粉、25-45份的Si粉、30-70份的Cr粉、20-40份的SiC粉、1-10份的C粉中的两种以上粉末按照比例称重后加入到球磨罐内进行球磨；步骤二：对混合均匀的粉末进行离心喷雾造粒处理，首先将粉末与粘结剂、分散剂、消泡剂均匀混合形成固相含量25％-45％的乳液，然后进行离心喷雾造粒；步骤三：将造粒后的粉末加入到冷压模具内，成型压力100-200Mpa，保压时间1-10min，得到具有一定强度的素坯；步骤四：将冷压成型的素坯放入热压模具内进行装模；步骤五：将石墨模具置于真空热压炉的压头正下方，并对模具进行预压1-3MPa，设定烧结参数，烧结完成后降温至室温后取出模具并进行脱模。
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权利要求：
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