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一种基于MPCVD法的多晶金刚石的制备方法 

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申请/专利权人:江苏卓远半导体有限公司

摘要:本发明公开一种基于MPCVD法的多晶金刚石的制备方法,包括如下步骤;原料制备:将金刚石微粉加入硅溶胶溶液中,并充分搅拌使得金刚石微粉在硅溶胶溶液中分布均匀;预处理:将步骤1中得到的金刚石微粉和硅溶胶的混合物进行预热处理,得到脱水的金刚石微粉和硅溶胶的混合物,再对脱水的金刚石微粉和硅溶胶的混合物进行压制;生长:将步骤2中得到的胚体放入MPCVD设备中开始气相沉积,得到多晶金刚石的毛坯;后期处理:调制BOE溶液,将步骤3中毛坯放入BOE溶液中清洗得到多晶金刚石。本发明的有益效果是:本技术方案多晶金刚石利用率更高;可以根据市场对多晶金刚石粒度需求的不同来生长粒度不同的多晶金刚石。

主权项:1.一种基于MPCVD法的多晶金刚石的制备方法,其特征在于:包括如下步骤;1原料制备:制备质量比在2:5至3:5的硅溶胶溶液做为混合溶液,将金刚石微粉加入硅溶胶溶液中,并充分搅拌使得金刚石微粉在硅溶胶溶液中分布均匀;2预处理:将步骤1中得到的金刚石微粉和硅溶胶的混合物进行预热处理,将金刚石微粉和硅溶胶的混合物中的水份蒸发干净,得到脱水的金刚石微粉和硅溶胶的混合物,再对脱水的金刚石微粉和硅溶胶的混合物进行压制,使其成为胚体;3生长:将步骤2中得到的胚体放入MPCVD设备中开始气相沉积,得到多晶金刚石的毛坯;4后期处理:调制BOE溶液,将步骤3中毛坯放入BOE溶液中清洗得到多晶金刚石。

全文数据:

权利要求:

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