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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明的实施例公开了一种半导体器件，包括形成于第一有源区上方的第一字线。在一些实施例中，第一金属线设置在第一字线上方并垂直于第一字线，其中第一金属线利用第一导电通孔电连接到第一字线，并且其中第一导电通孔设置在第一有源区上方。在一些示例中，半导体存储器器件还包括均平行于第一金属线并且设置在第一金属线的相对侧上的第二金属线和第三金属线，其中第二金属线利用第二导电通孔电连接到第一有源区的源极漏极区，并且其中第三金属线利用第三导电通孔电连接到第一有源区的源极漏极区。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一栅极结构，形成在第一有源区上方；第一金属线，设置在所述第一栅极结构上方并且垂直于所述第一栅极结构，其中，所述第一金属线利用第一导电通孔电连接到所述第一栅极结构，并且其中，所述第一导电通孔设置在所述第一有源区上方；以及第二金属线和第三金属线，均平行于所述第一金属线并且设置在所述第一金属线的相对侧上，其中，所述第二金属线利用第二导电通孔电连接到所述第一有源区的源极漏极区，并且其中，所述第三金属线利用第三导电通孔电连接到所述第一有源区的源极漏极区。
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权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件
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