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一种双K基耦合材料及其制备和应用方法 

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申请/专利权人:盐城工学院

摘要:本发明公开了一种双K基耦合材料,其为K2CO3负载在晶格K掺杂的CuCeZrO2表面,K2CO3的负载量5wt%‑15wt%。通过对CuCeZrO2固溶体进行掺杂晶格K和表面负载K2CO3,制备双K基耦合材料,其中表面负载的K2CO3为CO2吸附中心,K2CO3吸附CO2之后变为KHCO3,KHCO3在172℃‑350℃之间分解从而释放出CO2分子,促进了在相同温度窗口下的CO2催化加氢反应;晶格掺杂的K可增加氧空位,增强材料对CO2分子的活化,促进CO2加氢反应中甲酸盐中间体的形成和甲醇的进一步转化。

主权项:1.一种双K基耦合材料,其特征在于其为K2CO3负载在晶格K掺杂的CuCeZrO2表面,K2CO3的负载量为5wt%-15wt%。

全文数据:

权利要求:

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