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申请/专利权人：QORVO美国公司
摘要：本公开涉及一种晶片级扇出封装，其包含第一经薄化裸片12T、第二裸片14、所述第一经薄化裸片和所述第二裸片下方的多层重布结构16、所述第二裸片上方的第一模制化合物18、所述多层重布结构上方以及所述第一经薄化裸片和所述第二裸片周围的第二模制化合物20，以及第三模制化合物22。所述第二模制化合物延伸超出所述第一经薄化裸片以界定所述第二模制化合物内和所述第一经薄化裸片上方的开口42，使得所述第一经薄化裸片的顶部表面在所述开口的底部处。所述第一模制化合物的顶部表面和所述第二模制化合物的顶部表面是共面的。所述第三模制化合物填充所述开口且与所述第一经薄化裸片的所述顶部表面接触。
主权项：1.一种设备，其包括：•第一经薄化裸片，其包括第一装置层、所述第一装置层上方的第一电介质层，以及所述第一装置层下方的多个第一裸片凸块；•第二裸片，其包括第二装置层、所述第二装置层上方的硅衬底，以及所述第二装置层下方的多个第二裸片凸块；•多层重布结构，其形成于所述第一经薄化裸片和所述第二裸片下方；•第一模制化合物，其驻留于所述第二裸片的所述硅衬底上方，其中所述第一模制化合物的外围和所述第二裸片的所述硅衬底的外围是一致的；•第二模制化合物，其驻留于所述多层重布结构上方、所述第一经薄化裸片周围和下方，以及所述第二裸片周围和下方；其中：•所述第二模制化合物竖直延伸超出所述第一经薄化裸片的第一电介质层的顶部表面以界定在所述第二模制化合物内并在所述第一电介质层上方的开口，使得所述第一电介质层的顶部表面在所述开口的底部处，并且•所述第二模制化合物围绕所述第一模制化合物，并且所述第一模制化合物的顶部表面和所述第二模制化合物的顶部表面是共面的；以及•第三模制化合物，其填充所述开口且形成在所述第一电介质层的顶部表面上方，其中所述第一模制化合物、所述第二模制化合物和所述第三模制化合物由不同的材料形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： QORVO美国公司 具有增强性能的晶片级扇出封装
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